उत्पाद विवरण
डायमंड/सिलिकॉन कार्बाइड (SiC), जिसे सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक, कार्बुरो डी सिलिसियो, या सिलिज़ियम कार्बिड के रूप में भी जाना जाता है, मिश्रित सब्सट्रेट उच्च प्रदर्शन, इलेक्ट्रॉनिक पैकेजिंग और थर्मल प्रबंधन के लिए उन्नत सामग्री हैं। वे एक एकल सामग्री नहीं हैं बल्कि एक समग्र संरचना हैं जो आम तौर पर रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) जैसी विधियों के माध्यम से एक एकल क्रिस्टल या पॉलीक्रिस्टलाइन सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट पर उच्च - गुणवत्ता वाली पॉलीक्रिस्टलाइन हीरे की फिल्म जमा करके बनाई जाती है। यह डिज़ाइन दो अल्ट्रा{5}वाइड बैंडगैप सेमीकंडक्टर सामग्रियों के फायदों को सरलता से जोड़ता है: सिलिकॉन कार्बाइड के उत्कृष्ट सेमीकंडक्टर गुण और यांत्रिक शक्ति (कोर्सटेक, मॉर्गन एडवांस्ड सेरामिक्स, या सेंट गोबेन सेरामिक्स जैसे आपूर्तिकर्ताओं से सिंटर्ड सिलिकॉन कार्बाइड या रिएक्शन बॉन्डेड सिलिकॉन कार्बाइड में आम) हीरे की अद्वितीय अल्ट्रा{6}उच्च तापीय चालकता के साथ। नतीजतन, इसे अगली पीढ़ी के उच्च {{10}शक्ति, उच्च{11}आवृत्ति और उच्च{12}तापमान वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए आदर्श एकीकृत "गर्मी अपव्यय" वाहक "समाधान माना जाता है, जिसका लक्ष्य चिप पावर घनत्व में वृद्धि के कारण होने वाली "थर्मल बाधा" समस्या को हल करना है। उन लोगों के लिए जो आधार सामग्री के रूप में सिलिकॉन कार्बाइड या सिक प्लेटें कहां से खरीदें, उनके लिए विश्व स्तर पर कई सिलिकॉन कार्बाइड निर्माता और आपूर्तिकर्ता मौजूद हैं।
मुख्य प्रदर्शन विशेषताएँ
- अत्यधिक तापीय प्रबंधन प्रदर्शन: इसकी सबसे प्रमुख विशेषता इसकी अत्यधिक उच्च तापीय चालकता है। हीरे की परत की तापीय चालकता 1000-2000 W/(m·K) तक पहुंच सकती है, जो तांबे की 4-5 गुना है। यह तेजी से पार्श्व प्रसार और चिप्स द्वारा उत्पन्न गर्मी के निष्कर्षण की अनुमति देता है, हॉटस्पॉट तापमान को काफी कम करता है, सिलिकॉन कार्बाइड हीटिंग तत्वों या एल्यूमिना जैसी पारंपरिक सामग्रियों से बेहतर प्रदर्शन करता है।
- उत्कृष्ट थर्मल विस्तार मिलान: सिलिकॉन कार्बाइड के थर्मल विस्तार (सीटीई) का गुणांक हीरे और तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक सामग्री (उदाहरण के लिए, GaN, Ga₂O₃) के अपेक्षाकृत करीब है। यह मिलान उच्च तापमान चक्र के दौरान उपकरणों में थर्मल तनाव को काफी कम कर सकता है, पैकेजिंग विश्वसनीयता और जीवनकाल में सुधार कर सकता है, जो अन्य तकनीकी सिरेमिक पर एक महत्वपूर्ण लाभ है।
- उच्च विद्युत इन्सुलेशन: डायमंड और SiC दोनों अच्छे इंसुलेटर हैं। मिश्रित सब्सट्रेट में उच्च ब्रेकडाउन फ़ील्ड ताकत होती है, जो इसे यांत्रिक सील या सुरक्षा ट्यूबों में उपयोग की जाने वाली सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक प्लेटों के समान उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है।
- उच्च यांत्रिक शक्ति और कठोरता: दोनों सामग्रियां कठोरता और यंग मापांक (बी4सी सिरेमिक के तुलनीय) को प्रदर्शित करती हैं, जिसके परिणामस्वरूप एक यांत्रिक रूप से स्थिर सब्सट्रेट बनता है जो घिसाव और संक्षारण प्रतिरोधी होता है, जो बुशिंग, नोजल या बीयरिंग जैसे घटकों में सिलिकॉन कार्बाइड मशीनिंग की मांग के लिए उपयुक्त होता है।
- अच्छी सतह विशेषताएँ: पॉलिश सब्सट्रेट सतह परमाणु स्तर की चिकनाई प्राप्त कर सकती है, जो GaN जैसी उच्च गुणवत्ता वाले अर्धचालक कार्यात्मक परतों के प्रत्यक्ष एपिटैक्सियल विकास के लिए उपयुक्त है, जो एपिटैक्स और सीवीडी कोटिंग प्रक्रियाओं के लिए महत्वपूर्ण है।
मुख्य तकनीकी पैरामीटर
तापीय चालकता: मिश्रित सब्सट्रेट की समग्र तापीय चालकता आम तौर पर 600-1500 W/(m·K) के बीच होती है, जो हीरे की परत की गुणवत्ता और मोटाई पर निर्भर करती है, जो मानक सिंटेड SiC या पुन: क्रिस्टलीकृत सिलिकॉन कार्बाइड से अधिक होती है।
थर्मल विस्तार गुणांक (सीटीई): 4-5 × 10⁻⁶ /K की सीमा के भीतर, जो GaN (~5.6 × 10⁻⁶ /K) के साथ अच्छी तरह से मेल खाता है।
इन्सुलेशन प्रदर्शन: प्रतिरोधकता 10¹⁰ Ω·सेमी से अधिक, ब्रेकडाउन क्षेत्र की ताकत 10 एमवी/सेमी से अधिक।
विशिष्ट आयाम और रूप: वर्तमान में आमतौर पर वेफर्स (एसआईसी शीट), ब्लॉक के रूप में उपलब्ध हैं, या ट्यूब, रॉड या जटिल भागों में अनुकूलित किया जा सकता है। 2-इंच, 3-इंच या 4-इंच के व्यास मानक हैं, जिनकी मोटाई कई सौ माइक्रोमीटर तक अनुकूलन योग्य है।
इंटरफ़ेस गुणवत्ता: हीरे और सिलिकॉन कार्बाइड के बीच इंटरफ़ेशियल थर्मल प्रतिरोध एक महत्वपूर्ण पैरामीटर है। उन्नत निर्माण तकनीकें इसे बहुत निम्न स्तर तक कम कर सकती हैं (<20 m²·K/GW).
प्राथमिक अनुप्रयोग
इस सब्सट्रेट का उपयोग मुख्य रूप से गर्मी लंपटता और विश्वसनीयता के लिए अत्यधिक मांग वाले क्षेत्रों में किया जाता है, जो अपवर्तक, अपघर्षक या क्रूसिबल में सिलिकॉन कार्बाइड के पारंपरिक उपयोग से परे है:
- उच्च -पावर माइक्रोवेव/आरएफ उपकरण: 4जी/5जी/6जी संचार बेस स्टेशनों के लिए गैलियम नाइट्राइड उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर (GaN HEMTs) में उपयोग किया जाता है। उत्कृष्ट थर्मल प्रबंधन डिवाइस आउटपुट पावर, दक्षता और रैखिकता को बढ़ाता है।
- उच्च {{0}पावर-घनत्व पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरण: उच्च{{2}वोल्टेज कनवर्टर, इलेक्ट्रिक वाहनों में इनवर्टर, रेल परिवहन और स्मार्ट ग्रिड के लिए उपयुक्त। IGBTs, SiC MOSFETs, और GaN HEMTs जैसे उपकरणों की शक्ति घनत्व और ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान को बढ़ा सकता है।
- लेजर डायोड और एलईडी: उच्च चमक वाले लेजर डायोड बार और यूवी एलईडी के लिए हीट स्प्रेडर/सबमाउंट के रूप में उपयोग किया जाता है, जो तापमान वृद्धि के कारण दक्षता में गिरावट और तरंग दैर्ध्य बदलाव को प्रभावी ढंग से रोकता है।
- एयरोस्पेस और रक्षा इलेक्ट्रॉनिक्स: चरणबद्ध सरणी रडार टी/आर मॉड्यूल, इलेक्ट्रॉनिक युद्ध प्रणाली और उच्च परिवेश के तापमान में स्थिर संचालन की आवश्यकता वाले अन्य उपकरणों में उपयोग किया जाता है।
- अत्याधुनिक प्रौद्योगिकी क्षेत्र: अत्यधिक परिस्थितियों में काम करने वाले सेंसर और डिटेक्टरों के लिए या क्वांटम प्रौद्योगिकी जैसे उभरते क्षेत्रों के लिए एक सब्सट्रेट के रूप में कार्य करता है। यह चरम वातावरण के लिए सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक कोटिंग में भी विशिष्ट अनुप्रयोग पाता है।
गुणवत्ता नियंत्रण
ISO 9001 गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली का कड़ाई से पालन करते हुए, हम उच्च गुणवत्ता वाले उत्पादों की निरंतर डिलीवरी सुनिश्चित करने के लिए पूर्ण प्रक्रिया गुणवत्ता नियंत्रण लागू करते हैं:
• कच्चे माल का 100% निरीक्षण, स्रोत से गुणवत्ता की गारंटी
• स्थिर और विश्वसनीय प्रक्रियाओं के लिए उन्नत हॉट{0}}प्रेसिंग उत्पादन लाइनों का उपयोग
• घनत्व, कठोरता और सूक्ष्म संरचना विश्लेषण को कवर करने वाली एक व्यापक घरेलू परीक्षण प्रणाली
• तीसरे पक्ष के आधिकारिक प्रमाणपत्रों की उपलब्धता (अनुरोध पर प्रदान किए गए एसजीएस, सीई, आरओएचएस आदि सहित)
हम अपनी प्रबंधन प्रणाली में निरंतर सुधार, ग्राहकों को सुसंगत और विश्वसनीय उत्पाद आश्वासन प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध हैं।
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