एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट

एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट

एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट MOSFET एक पावर डिवाइस है, जो आमतौर पर एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट, MOSFET चिप, पैकेजिंग सामग्री और लीड वायर से बना होता है। उनमें से, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का एक प्रमुख घटक है, जिसमें उच्च तापीय चालकता, उत्कृष्ट इन्सुलेशन प्रदर्शन और अच्छी यांत्रिक शक्ति होती है, जो प्रभावी रूप से गर्मी और अलग -थलग को अलग कर सकती है।
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विवरण

एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट MOSFET एक पावर डिवाइस है, जो आमतौर पर एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट, MOSFET चिप, पैकेजिंग सामग्री और लीड वायर से बना होता है। उनमें से, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों का एक प्रमुख घटक है, जिसमें उच्च तापीय चालकता, उत्कृष्ट इन्सुलेशन प्रदर्शन और अच्छी यांत्रिक शक्ति होती है, जो प्रभावी रूप से गर्मी और अलग -थलग को अलग कर सकती है।

 

Aluminum nitride ceramic substrate

 

प्रोडक्ट का नाम एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट
सामग्री एल्यूमीनियम नाइट्राइड /एएलएन /एआईएन
रंग ग्राहक की आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित
आकार ग्राहक की आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित
मशीनिंग सटीकता ± 0.001 मिमी
पैकेजिंग कार्टन /फूस /लकड़ी के मामले (ग्राहक की आवश्यकता के अनुसार)
डिलीवरी का समय मानक उत्पाद - 3 दिनों के भीतर
वस्तुओं का डिजाइन ग्राहक के ड्राइंग या नमूनों के अनुसार
विशेषताएँ अच्छी गुणवत्ता, कम कीमत, कई कारखाने, आपके स्थान के सबसे करीब के आधार पर आपको वितरित करें
आवेदन औद्योगिक सिरेमिक
प्रमाणपत्र आईएसओ, सीई

 

 

सिरेमिक प्रदर्शन पैरामीटर

 

संख्या प्रदर्शन इकाई एल्यूमीनियम नाइट्राइड
Jc - a-210 JC - AN-170
1 घनत्व जी/सेमी 3 3.32~3.34 3.31~3.33
2 आनमनी सार्मथ्य एमपीए 340~360 400~420
3 अस्थिभंग बेरहमी एमपीए · एम 1/2 3.35 3.35
4 पारद्युतिक स्थिरांक (आर (20 डिग्री, 1MHz) 8.8~9.0 8.7~8.9
5 कठोरता जीपीए 12-16
  कठोरता एचआरसी 75-80
6 मात्रा प्रतिरोधकता (· सेमी (20 डिग्री) 10 10 10 10
7 लोचदार मापांक जीपीए 310 320
8 थर्मल विस्तार का गुणांक ×10-6/k 4.8~5.0 4.5~4.7
9 सम्पीडक क्षमता एमपीए 2100 2000
10 खरोंच जी/सेमी 2 0.01 0.01
11 ऊष्मीय चालकता डब्ल्यू/एम × के (20 डिग्री) 200~220 160~180
12 पिज़ोन अनुपात / 0.24 0.24
13 इन्सुलेशन शक्ति केवी/मिमी 26~28 30~32
14 तापमान डिग्री 2500 2500

 

 

उत्पाद लाभ

 

एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट में उत्कृष्ट तापीय चालकता होती है, जिसमें 170-240W/mk तक की तापीय चालकता होती है, जो पारंपरिक एल्यूमीनियम सब्सट्रेट और सिरेमिक सब्सट्रेट की तुलना में बहुत अधिक है। यह एल्यूमीनियम नाइट्राइड सब्सट्रेट को गर्मी को अधिक प्रभावी ढंग से फैलाने और इलेक्ट्रॉनिक घटकों को ओवरहीटिंग क्षति से बचाने की अनुमति देता है। एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट में भी उत्कृष्ट इन्सुलेशन गुण होते हैं और उच्च तापमान और उच्च दबाव जैसे कठोर वातावरण में काम कर सकते हैं। इसका कम थर्मल विस्तार गुणांक थर्मल विस्तार और संकुचन के कारण होने वाले तनाव को प्रभावी ढंग से कम कर सकता है, और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के सेवा जीवन का विस्तार कर सकता है।

 

 

उत्पाद व्यवहार्यता

 

एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट का उपयोग व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग में किया जाता है और इसका उपयोग पावर मॉड्यूल, ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक डिवाइस, इलेक्ट्रोमैग्नेटिक हीटिंग डिवाइस आदि के लिए हीट डिसिपेशन सब्सट्रेट के रूप में किया जा सकता है। एलईडी उद्योग में, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट में भी महत्वपूर्ण अनुप्रयोग होते हैं और इसे एलईडी लाइट - के लिए सब्सट्रेट के रूप में उपयोग किया जा सकता है ताकि गर्मी को भंग करने और सेवा जीवन का विस्तार करने में मदद करने के लिए डायोड का उत्सर्जन किया जा सके। एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट में ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स, लेजर डिवाइस और अन्य क्षेत्रों में भी महत्वपूर्ण आवेदन मूल्य है।

 

 

भविष्य का विकास

 

5 जी, आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस और नई ऊर्जा जैसी प्रौद्योगिकियों के तेजी से विकास के साथ, गर्मी अपव्यय सामग्री के लिए प्रदर्शन आवश्यकताएं अधिक और अधिक हो रही हैं। एक नए प्रकार के उच्च - प्रदर्शन सामग्री के रूप में, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट के पास विकास के लिए महान जगह है। भविष्य में, विनिर्माण प्रक्रियाओं के निरंतर सुधार और सामग्री के प्रदर्शन में सुधार के साथ, एल्यूमीनियम नाइट्राइड सिरेमिक सब्सट्रेट इलेक्ट्रॉनिक्स, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और अन्य क्षेत्रों में अधिक महत्वपूर्ण भूमिका निभाएंगे।

 

 

हमारे बारे में

 

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