पहला 6- इंच गैलियम ऑक्साइड सिंगल क्रिस्टल

गैलियम ऑक्साइड उत्कृष्ट भौतिक और रासायनिक गुणों के साथ एक नए प्रकार का अल्ट्रा-वाइड बैंडगैप अर्धचालक सामग्री है। इसमें माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में व्यापक अनुप्रयोग संभावनाएं हैं। हालांकि, इसके उच्च पिघलने बिंदु, उच्च तापमान अपघटन और आसान दरार के कारण, बड़े आकार के गैलियम ऑक्साइड एकल क्रिस्टल तैयार करना बेहद मुश्किल है।

चाइना इलेक्ट्रॉनिक्स टेक्नोलॉजी ग्रुप कॉरपोरेशन की गैलियम ऑक्साइड टीम 46 वीं इंस्टीट्यूट पॉलीक्रिस्टलाइन सतहों, बड़े आकार, उच्च डोपिंग और कम दोषों पर केंद्रित है। बड़े आकार के गैलियम ऑक्साइड थर्मल क्षेत्रों के डिजाइन से शुरू, इसने सफलतापूर्वक 6- इंच गैलियम ऑक्साइड एकल क्रिस्टल के विकास के लिए उपयुक्त एक थर्मल क्षेत्र संरचना का निर्माण किया। इस उपलब्धि ने 6- इंच गैलियम ऑक्साइड सिंगल क्रिस्टल ग्रोथ टेक्नोलॉजी में एक सफलता बनाई है, इसमें अच्छे क्रिस्टलीकरण गुण हैं, और इसका उपयोग 6- इंच गैलियम ऑक्साइड सिंगल क्रिस्टल सब्सट्रेट के विकास के लिए किया जा सकता है। यह मेरे देश में गैलियम ऑक्साइड सामग्री की व्यावहारिक अनुप्रयोग प्रक्रिया और संबंधित उद्योगों के विकास का दृढ़ता से समर्थन करेगा।